海力士（Hynix）是一家半导体制造商，也是世界第二大内存芯片制造商，成立于1983年2月，总部位于韩国京畿道。
该公司致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
2021年8月20日，2021胡润世界500强发布，海力士以5,040亿元企业估值位列第195名。[1]2022年7月27日，SK海力士发布2022财年第二季度财报，2022财年第二季度结合并收入为13.811万亿韩元，营业利润为4.193万亿韩元，净利润为2.877万亿韩元。2022财年第二季度营业利润率为30%，净利润率为21%。[2]
中文名海力士
国家韩国
年营收42.998万亿韩元(2021年)[3]
经营范围半导体
缩写HY
年利润9.616万亿韩元(2021年)[3]
外文名Hynix
总部地点京畿道
员工人数36854人(2020年)[4]
公司官网www.skhynix.com.cn/
世界500强第452名(2020年)
企业简介
海力士是一家半导体制造商，成立于1983年，总部位于韩国。
为原来的现代内存,2001年更名为海力士。2012年更名SK hynix。发展历史
2021年12月30日，SK海力士表示，已完成收购英特尔NAND闪存业务的第一阶段。在第一阶段，SK海力士支付交易总价格90亿美元中的70亿美元。总部位于加州圣何塞的SK海力士子公司Solidigm负责管理新收购的NAND固态硬盘业务。公告还表示，第二阶段交易预计在2025年3月或之后完成，SK海力士届时支付剩下的20亿美元。第二阶段交易包括SK海力士收购英特尔NAND业务的剩余资产，包括知识产权和相关团队。[5]2021年5月21日，欧盟批准了SK海力士以90亿美元收购英特尔闪存业务。[6]
2021年3月12日，SK海力士发布声明，继联邦贸易委员会之后，美国外国投资委员会（CFIUS）也批准SK海力士以90亿美元收购英特尔旗下子公司的收购案。[7]
2019年2月，公司已提交了投资意向书，计划在韩国建设一个半导体工业区。公司计划在2022年之后的10年里投资120万亿韩元（1066.6亿美元），在首尔以南40公里的龙仁市新工业区建设四座晶圆厂。[8]
2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。
2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。
2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社
2009年04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
2009年03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证
2009年02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM
2009年01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。
2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM
2008年11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
2008年08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工，世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM，为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大
2008年05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
2008年04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2
2008年02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
2008年01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程序上进行合作的合同
2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证
2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes)
2007年11月WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议，获得对1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM
2007年10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同
2007年09月以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP
2007年08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
2007年07月发表企业中长期总体规划
2007年05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证
2007年04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率
2007年03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同，与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长
2007年01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模块
2006年创下最高业绩及利润
2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
2006年10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络
2006年09月300mm研究生产线下线
2006年03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证
2006年01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM
2005年11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM
2005年07月 提前从企业重组完善协议中抽身而出
2005年04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼
2005年03月 发布2004年财务报表，实现高销售利润
2005年01月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议
2004年11月 与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议
2004年08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议
2004年07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润
2004年06月 签订非内存事业营业权转让协议
2004年03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证
2004年02月 成功开发NAND闪存
2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU
2003年08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。
2003年07月 宣布在世界上首次发表DDR500
2003年06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证
2003年05月 采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产
2003年04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存
2003年03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM
2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门
2002年10月 开发0.10微米、512MB DDR
2002年08月 在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM
2002年06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
2002年03月 开发1G DDR DRAM模块
2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
2001年08月 完成与现代集团的最终分离
2001年07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’
2001年05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’
剥离网络业务‘Hyundai Networks’
2001年03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司”
2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’
2000年04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’
1999年10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社
1999年03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC）
1998年09月 开发64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
1989年09月 开发4M的DRAM
1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE）
1988年01月 开发1M的DRAM
1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”
1986年04月 设立半导体研究院
1985年10月 开始批量生产256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志。
管理团队
副董事长及联席CEO：朴正浩[5]
联席CEO、子公司Solidigm执行董事长：李锡熙
Solidigm CEO：罗博·克鲁克（Rob Crooke）
企业业绩
2021年4月28日，SK海力士发布2021年一季度业绩，报告期内其营业利润1.32万亿韩元，销售收入8.49万亿韩元。[9]
2022年1月28日，SK海力士发布截至2021年12月31日的2021财年及第四季度财务报告。公司2021财年结合并收入为42.998万亿韩元，营业利润为12.410万亿韩元，净利润为9.616万亿韩元。2021财年第四季度结合并收入为12.377万亿韩元，营业利润为4.220万亿韩元。[3]
2022年4月27日，SK海力士公布2022会计年度第一季财报，财报显示，SK海力士Q1营收年增43%至12.2 万亿韩元，营业利益自2021年后期的1.3万亿韩元增至2.86万亿韩元，但因扣除3800亿韩元的一次性费用，逊于Refnitiv分析师预期的3.1万亿韩元。[10]
2022年7月27日，SK海力士发布2022财年第二季度财报，2022财年第二季度结合并收入为13.811万亿韩元，营业利润为4.193万亿韩元，净利润为2.877万亿韩元。2022财年第二季度营业利润率为30%，净利润率为21%。[2]
企业投资
2020年5月，投资MemVerge的1,900万美元融资。[11]战略合作
2021年2月24日，SK海力士宣布，已与阿斯麦(ASML.US)签订一项价值4.8万亿韩元(43.4亿美元)五年期采购合同，以确保在生产芯片过程中拥有足量的极紫外线(EUV)光刻机。[12]
荣誉记录
2018年6月，2018福布斯世界最大上市公司排名发布，海力士排名第200位。[13]
2019年7月22日，2019《财富》世界500强排行榜发布，海力士排名第335位。[14]
2020年5月，位列2020福布斯全球企业2000强榜第296。[15]
2021年1月12日，2020年全球专利企业50强公布，SK Hynix位列第40。[16]
2021年5月，《2021福布斯全球企业2000强》发布，SK海力士列第173名。[17]
2021年8月2日，2021年《财富》世界500强排行榜发布，海力士位列第452名。[4]
2021年8月20日，2021胡润世界500强发布，海力士以5,040亿元企业估值位列第195名。[1]
2022年5月12日，《2022福布斯全球企业2000强》发布，海力士位列第169名。[18]
企业事件
2013年9月4日下午3点半左右，无锡新区海力士公司的生产车间发生气体泄漏，引发车间屋顶排气管洗涤塔管道的保护层着火。无锡消防200多名官兵赶至现场扑救，截至9月4日18点，明火已全部扑灭。从车间疏散出人员中，1人受轻微外伤，另有10余人去医院进行呼吸道检查，均无大碍。火灾发生后，无锡市委主要领导作出批示，市政府和无锡新区领导第一时间赶赴现场组织开展灭火救援，市环保部门迅速组织对企业周边环境、空气质量情况进行检测。火灾原因仍在调查中。[19]2013年9月初发生在无锡新区SK海力士的一场大火已经过去了几个月，这场大火尽管没有人员伤亡，但其影响却很大，比如在国内芯片市场和保险市场方面。
昨日（12月19日），有险企人士向《每日经济新闻(微博)》记者透露，SK海力士大火报损约10亿美元，保险业估损将达9亿美元，这将是国内最大的一笔保险赔案。
据《中国保险报》此前报道，SK海力士5家承保公司中各自的份额分别为：现代保险占比50%，人保财险占比35%，大地保险、太平洋产险、乐爱金财险各占5%。
上述险企人士进一步介绍称，该案件各家保险公司基本上都办理了再保险，主要涉及的再保险公司包括：韩国再保险、瑞士再保险、慕尼黑再保险等，而这个案例会影响到直保和再保险财险公司的承保利润，同时也将会导致半导体行业来年费率以及再保险费率的上涨。[20]
SK海力士大火的首席承保人是韩国现代财险，国内的人保财险和太平洋产险等13家公司都险都参与其中。SK海力士火灾的最终赔付金额已确认在9亿美元，这是国内保险史上的最大一笔理赔案。江苏省保监局保险财产保险监管处处长王雷介绍，现在的进展情况是正在运行之中，已经预付了大约3亿美金。13家大型保险公司都在为这起火灾承担赔付，这也将推高今年企业财产险的相关保费。[21]
2018年5月31日，中国反垄断机构对三星、海力士、美光位于北京、上海、深圳的办公室展开突然调查，三大巨头有碍公平竞争的行为以及部分企业的举报推动了中国反垄断机构发起此次调查。
根据美光、三星、海力士财报统计，2017财年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。[22]
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