天野浩(Hiroshi Amano,1960年9月11日-),出生于日本静冈县滨松市,毕业于名古屋大学,电子工程学家,外籍中国工程院院士,2014年诺贝尔物理学奖获得者。
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他研发了III族氮化物半导体膜的低温沉积缓冲层,制成III族氮化物半导体的发光二极管和激光二极管,曾获得武田奖、应用物理学会奖等。
中文名天野浩
外文名あまの ひろし/Hiroshi Amano
国籍日本
民族大和民族
主要成就2019年当选中国工程院院士
出生日期1960年9月11日
出生地滨松
性别男
星座处女座
人物履历
1960年静冈县滨松市出生
1983年名古屋大学工学部电子工学科毕业
1988年 名古屋大学大学院博士课程结束
1988年 名古屋大学助手
1989年 取得名古屋大学工学博士学位
1992年 名城大学理工学部讲师
1998年 名城大学助教授
2002年 名城大学教授
2010年 名古屋大学教授
科学研究
1986年,赤崎勇和天野浩首次制成高质量的氮化镓晶体,他们所采用的方法是在蓝宝石衬底上涂上一层氮化铝材料,并在上面生长氮化镓晶体。到了1980年代末,他们在创设p层的工作上取得突破性进展。当赤崎勇和天野浩在扫描电镜下观察培养出的氮化镓晶体时,他们无意间注意到在用电镜观察时晶体的发光强度似乎增强了,这说明扫描电镜产生的电子流能够提升p层的效率。到了1992年,他们终于制成第一个发蓝光的二极管。
诺贝尔奖
2014年10月7日,赤崎勇、天野浩和中村修二因发现新型节能光源而获得2014年度诺贝尔物理学奖,他们将平分800万瑞典克朗(约合111万美元)的奖金。
荣誉记录
1991年 电气学会发表论文奖
1994年 光电子会议特别奖
1996年 美国IEEE/LEOS工程功绩奖
1998年 应用物理学会奖
1998年 英国排名奖
2001年 文学术赏奖
2002年武田奖
2003年 SSDM Award
2008年 日本结晶成长学会论文奖
2014年 诺贝尔物理学奖
2019年11月22日,当选中国工程院院士。[1]
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