邹世昌，1931年7月27日出生于上海市，材料科学家，中国科学院院士，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师。
1949-1950年就读于中国纺织工学院（今东华大学）后转入唐山交通大学，1952年毕业于交通大学唐山工学院（即唐山交通大学，现西南交通大学）。1958年获苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。历任中国科学院上海冶金研究所研究员、所长。曾参加直空阀门甲种分离膜的研制，并担任工艺组负责人，该成果1984年获国家发明奖一等奖。
2021年6月28日，党中央决定，授予邹世昌“全国优秀共产党员”称号。
邹世昌
出生地上海
民族汉族
代表作品直空阀门甲种分离膜
职业教育科研工作者
出生日期1931年07月27日
国籍中国
教育背景交通大学唐山工学院
主要成就1991年当选中国科学院院士
原籍江苏苏州太仓市
人物经历
1931年7月27日，邹世昌出生于上海市，原籍江苏苏州太仓市。当他开始懂事的时候，“八一三”战争爆发。目睹日本侵略军掠夺成性的罪恶行径，在他幼小的心灵上埋下了痛切的创伤和悲愤的怒火。在十分艰难的条件下，邹世昌依靠助学金得以继续求学，殷切盼望着抗日战争的胜利，懂得了国家经济实力强大与科学技术进步是取得战争主动权的重要因素，中国之所以受侵略与压迫，国力不强与技术落后是一个很重要的原因。1949年初，邹世昌从上海格致中学毕业后考入了由申新纱厂创办的中国纺织工学院（1999年更名为东华大学）学习。
1950年，进入交通大学唐山工学院（即唐山交通大学，现西南交通大学）冶金工程系学习。
1952年，毕业后进入中国科学院上海冶金陶瓷研究所工作，担任研究实习员。
1953年，进入北京俄语专修学校学习。
1954年，赴苏留学，前往莫斯科有色金属学院学习（至1958年）。
1958年，在前苏联莫斯科有色金属学院获副博士学位，之后回国进入中国科学院上海冶金研究所（2001年更改为中国科学院上海微系统与信息技术研究所）工作，先后担任助研、副研究员，室主任、大组长、研究员、所长。
1979年，任西德慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所客座教授（-1980年）。
1986年，当选为中共上海市第五届委员会候补委员。
1991年，当选为中国科学院学部委员（院士）。[1]
1992年，当选为中共第十四届中央委员会候补委员。
主要成就
- 科研综述
邹世昌60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作，对技术路线进行优选决策。70年代以后在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作。独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。用全离子注入技术研制成中国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅。研究SOI材料并制成CMOS/SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜[1]。
60年代初，由于苏联撕毁协议，国家要冶金所联合国内有关单位承担一项由周恩来总理亲自关注的用于制备浓缩铀的甲种分离膜项目，抽调副所长吴自良兼任这个研究室的主任，当时已是研究室主任的邹世昌担任该室工艺大组的组长。在任务紧急、资料匮乏、国外封锁等一系列困难面前，夜以继日，奋力拼搏，终于研制成功性能完全合格的甲种分离膜，并立即投入了生产，为发展中国的原子能工业作出了重要的贡献。从70年代起。邹世昌开展离子束材料改性、合成、加工与分析的研究工作，研究了离子束与固体相互作用的物理过程，发展了一系列新技术，创建了离子束开放实验室。邹世昌于70年代初起就从事半导体材料与器件的研究，由于种种原因，一直到90年代中期中国尚未建立起规模生产的半导体集成电路产业，比起步晚的国家和地区还落后了一大截。他抱着不甘落后、奋发图强的决心，在卸任研究所所长以后，又接受委任投身到在上海浦东建设中国微电子产业的高潮中。
面对国外优厚的物质待遇和工作条件，邹世昌心地坦然，绝不留恋，他认为祖国再穷也是我们自己的，改变她的落后面貌，正是我们的责任。回顾自己的经历，邹世昌庆幸自己在好的学校中得到了严格的训练与教育，出了校门又投身到严师的门下，老一辈科学家的献身精神和言传身教促使他沿着正确的轨道健康成长。随着时间的推移，邹世昌也被推上了领导科研工作和培养青年科技人员的岗位，他深感自己对年轻一代科技人员所负的责任，决心尽快将自己多年积累的知识与经验传授给他们，帮助他们走上为祖国科技事业而奋斗的轨道。
20世纪70年代初，经受过“文化大革命”批判的邹世昌回到了研究工作岗位，此时他的研究领域已转到研究离子束与固体材料的相互作用及其在半导体材料与器件方面的应用。当时“文化大革命”还在继续，能用的设备是国内制造的第一台20万电子伏特能量离子注入机，性能很不稳定。邹世昌先参加了CMOS集成电路（电子手表分频器）阈值电压控制的后期部分工作，这是在中国首次将离子注入应用于半导体集成电路。1974 年与上海原子核研究所合作在该离子注入机上配置束流准直器及精密定角器，建立了背散射能谱测量及沟道效应分析系统，应用于离子注入半导体的表面层组分浓度分布的测定、晶格损伤的分析以及掺杂原子晶格定位，于1975年完成了氖离子背面注入损伤吸收硅中重杂质以改善p-n结反向漏电特性的研究工作。同年9月，邹世昌在西德卡尔斯鲁厄“离子束表面分析”国际学术会议上发表了这篇论文，引起国际同行好评。令他们十分惊讶的是国际上一般都要用百万以上电子伏特能量加速器及精密仪器进行的实验，中国竟在自制的设备上完成了。这是中国第一篇在国际学术界发表的利用离子背散射能谱分析开展半导体研究的论文。1978年又与上海光机所合作在国内率先开展了半导体激光退火的研究工作。在建立了上述技术的基础上，邹世昌领导的离子束实验室对离子束与固体材料的相互作用进行了系统的研究并应用于材料的改性、合成、加工、分析，陆续完成了以下一些研究工作。（1）半导体离子注入：研究了离子注入硅的损伤及其退火行为，独创性地提出了用二氧化碳激光从背面照射对离子注入半导体进行退火及合金化的新方法，这项工作获中国科学院1982年重大科技成果二等奖。研究了用双离子注入的办法在磷化铟中得到了最高的载流子浓度及掺杂电激活率，并用全离子注入技术率先研制出国内第一块120门砷化镓门阵列电路和高速分频器，获中国科学院1990年科技进步奖一等奖。
（2）SOI技术：对SOI技术进行了系统的研究，用离子注入和激光再结晶方法合成了SOI新材料。解决了激光再结晶SOI 材料适于制作电路的表面质量问题，获得一项发明专利。在深入分析SOI材料光学效应的基础上，提出了一套非破坏性的表征技术，进而研制成功新型的CMOS/SOI电路。该项目获中国科学院1990年自然科学奖二等奖。近年来SOI材料已进入实用并将成为21世纪硅集成电路的基础技术，说明邹世昌对这一新研究领域的高瞻远瞩。
（3）离子束微细加工：研究了低能离子束轰击材料表面引起的溅射、损伤和貌相变化等物理现象，并用反应离子束微细加工在石英基片上刻蚀出中国第一批实用闪耀全息光栅，闪耀角可控，工艺重复稳定，衍射效率大为提高，这是光栅制造技术的重大突破，获中国科学院1987年科技进步二等奖与1989年国家科技进步奖三等奖。
（4）离子束增强沉积：负责国家“863高技术材料领域材料表面优化”专题，建立并掌握了可控、可预置和可重复的离子束增强沉积技术，合成了与基体有很强粘附力，低摩擦系数和高耐磨性的氮化硅、氮化钛薄膜。
由于这些成绩，邹世昌被选为国际离子束领域两个主要学术会议（离子注入技术——IIT和离子束材料改性——IBMM）的国际委员会委员。1989年被评为上海市劳动模范。
中国科学院院士、材料学家邹世昌近日在一个活动上说，我国的信息技术需要进一步发展，不光会制造，还要自行设计，“目前，好多产品还靠从国外引进，这是解决核心竞争力必须攻克的难题”。
在邹世昌看来，我国集成电路工艺技术较国际先进水平相差两代，要缩小差距，还需要在核心技术上取得突破。“虽然目前已经取得了一些进展，比如，世博会门票、交通卡、电子身份证，还有移动通信的TD-SCDMA技术……国产芯片已有了广泛应用，但是，现在的通信方面以及计算机领域，好多产品还靠从国外引进。”邹世昌介绍说，我国现在的集成电路工艺还在0.18微米、0.25微米，而国际先进工艺已达到32纳米(0.032微米)，技术已经成熟。目前，我国集成电路芯片80%依靠进口，在这方面消耗的外汇超过石油，成为第一外汇消耗大户。他表示，如果以这样的方式来发展我国的信息化产业，“将受到方方面面的限制，一些核心技术国外是很难转移出来的。自己不发展的话，这个核心技术还是在人家手里”。
- 科研成果奖励
邹世昌获国家级、中国科学院和上海市自然科学奖、科技进步奖、发明奖等共14项。
2015年11月，2015年上海科普教育创新奖邹世昌院士的“继承和发扬‘两弹一星’精神，激励广大青年投身祖国科研一线”项目获得本年度“科普贡献奖（个人）”一等奖。
- 学术论著
发表论文200多篇。
人才培养
邹世昌培养博士生30多名。
20世纪80～90年代年轻科技人员流失的问题相当严重。邹世昌十分清楚面临的资金不足，住房紧张，陈旧的论资排辈思想等等难题。经过反复思考，到了90年代初，邹世昌认为是下决心的时候了。
“人才是关系到研究所兴衰存亡的大问题，一个研究单位的竞争能力，归根到底取决于科技队伍的素质与水准。作为所长，我在位一天，就要创造一切条件让年轻人尽快成长起来。”邹世昌终于说话了。他铁了心，采取超常规的政策和措施吸引、稳定、留住年轻人，于是天平开始向年轻人倾斜。在晋升高级专业技术职称中，至少有20%～30%的比例用于青年科技人员；吸收、选拔他们参加所学术、学位评定、职称评审3个委员会和担任各级领导；出国考察要优先考虑年轻人；在住房分配中，青年科技人员的比例不少于20%；对优秀青年人才要一事一议，特事特办，欢迎他们来所；要给青年人压担子，要为他们创造脱颖而出的环境与条件。为吸引优秀的年轻人，他逐个找他们谈心，以自己的亲身经历进行言传身教，要求他们把发展祖国的科技事业作为自己的责任，同时为他们排忧解难，以真诚之情打动人心。1992年，一位留德博士研究生来信，表示愿学成后回国。邹世昌亲自复信，表示一定尽责安排好回国以后的工作和生活条件。祖国的呼唤，所长的关怀，使游子回来了。他自己培养的20多名博士硕士中就有一半在国外进修后回国效力，他们以优异的业绩晋升为研究员并分别担任国家重点实验室、开放实验室主任，有的已被推上了所长助理、副所长的领导岗位。
荣誉表彰
1991年，当选为中国科学院学部委员（院士）。[1]
2003年被评为上海浦东开发建设杰出人才
2008年被国际半导体设备材料协会SEMI授予中国半导体产业开拓奖。
2021年6月28日，党中央决定，授予邹世昌“全国优秀共产党员”称号。[2]
社会任职
上海市集成电路行业协会会长
上海华虹 NEC电子有限公司副董事长
离子注入和材料改性两个国际学术会议的国际委员会委员
德国慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所客座教授。
1986年当选为中国共产党上海市第五届委员会候补委员，1992年当选为中国共产党第十四届中央委员会候补委员。上海华虹集团公司董事，上海华虹NEC电子有限公司、上海华虹集成电路有限公司、上海新康电子有限公司副董事长，上海众华电子有限公司董事长；上海市集成电路行业协会理事长；上海浦东新区科学技术协会主席。
人物评价
邹世昌是一个视事业为第一生命的人。他爱祖国、爱人民，爱干了大半辈子的科学研究事业。邹世昌在一则自述中深情地写上了这么一段：“我出生于这块饱经蹂躏侵略、贫穷落后的土地上，我的命运就和祖国的前途紧紧相连，我的历史责任是要竭尽全力去改变她的面貌，建设一个繁荣昌盛、科技发达的新中国”，这是邹世昌在科学事业上拼搏奋进50载的心路历程和真实写照。
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