屠海令（1946.10.05- ）半导体材料专家。北京市人。1969年毕业于天津大学。1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位。现任北京有色金属研究总院名誉院长，博士生导师，中国材料研究学会副理事长、中国有色金属学会副理事长、中国稀土学会副理事长。
长期从事硅、化合物半导体、稀土半导体晶体生长，硅基半导体材料制备；半导体材料中杂质与缺陷行为，界面、表面物理化学；半导体材料与器件性能关系；纳米半导体材料、高k材料和红外光学材料等方面研究。领导并参加多项半导体材料国家工程及专项项目，形成了一系列具有自主知识产权的工程技术和规模化的生产能力。参加国家中长期科技发展规划的战略研究。获国家级、省部级科技进步奖15项，授权专利37项。发表论文260多篇，出版著作9部。2002年获国际半导体材料与设备协会国际标准成就奖，2004年荣获何梁何利基金科学与技术进步奖。
2007年当选为中国工程院院士。[1]
中文名屠海令
国籍中国
民族汉族
出生地北京
出生日期1946年10月
人物介绍
屠海令，男，汉族，1946年10月生，北京市人，1970年8月参加工作，1974年8月加入中国共产党，英国巴斯大学半导体材料物理专业毕业，研究生学历，博士学位，教授级高级工程师，博士生导师，中国工程院院士，半导体材料专家。
人物履历
1964年09月至1969年08月，天津大学精仪系自动化专业学习；
1970年08月至1971年08月，天津第三半导体器件厂试制组技术员；
1971年08月至1978年09月，天津半导体技术研究所组长、室主任；
1978年09月至1979年12月，北京有色金属研究总院半导体材料专业攻读研究生；
1979年12月至1983年12月，英国巴斯大学半导体材料物理专业攻读博士学位；
1984年03月至1996年07月，北京有色金属研究总院组长、室主任、副院长（其间：1994年11月至1995年8月美国北卡罗莱纳州立大学半导体材料专业高级访问学者）；
1996年07月至2009年04月，北京有色金属研究总院院长；
1999年02月至2009年05月，有研半导体材料股份有限公司董事长；
2006年04月起担任北京有色金属研究总院科技委员会主任；
2007年12月当选中国工程院院士；
2009年05月担任北京有色金属研究总院名誉院长；
2010年06月担任中国工程院化工、冶金与材料工程学部副主任；
2014年4月中国煤炭科工集团有限公司外部董事，聘期二年；
2015年不再担任中国煤炭科工集团有限公司外部董事职务。[2]
社会兼职
中国电子材料行业协会副理事长，中国有色金属学会副理事长、中国材料研究学会副理事长、中国稀土学会副理事长、SEMI中国标准化材料委员会主任等。
中共十五、十六大代表，第十一届全国人大代表，十一届全国人大财经委员会委员，第十二届、十三届北京市人大代表。
学术研究
长期从事硅、化合物半导体及稀土半导体材料研究。研究领域包括半导体单晶生长中的传质、传热过程，硅外延生长动力学，半导体材料表面物理化学，砷化镓晶体生长新技术，三元系化合物半导体晶格动力学，稀土半导体材料结构相变，硅基半导体材料的制备技术，半导体材料中缺陷与杂质互作用及缺陷工程，半导体材料检测技术等。获国家级、部级科技进步奖十余项，发表论文百余篇，出版著作五部。
荣誉记录
突出贡献回国留学人员表彰奖
国家高技术材料专家委员会个人表彰奖
国家攻关先进个人奖等
1993年获政府特殊津贴
1996年获国家有突出贡献中青年专家称号
2001年获全国五一劳动奖章
2004年荣获何梁何利基金科学与技术进步奖
期刊论文
二维原子晶体材料及其范德华异质结构研究进展 2017年 -屠海令-《稀有金属》
加强宽禁带半导体材料的研发与应用简 2017年 -屠海令-《科技导报》
发展先进材料 迎接科技革命 2014年 -屠海令-《科技导报》
添加Mn和Ce对Ti0.27Cr0.33V0.4合金储氢性能的影响 2014年 -屠海令-《稀有金属材料与工程》
Investigation of Si/SiGe/Si on bonded SOI by triple axis X-ray diffraction and synchrotron radiation double crystal topography 2006年 -屠海令
摘要：Investigation of Si/SiGe/Si on bonded SOI by triple axis X-ray diffraction and synchrotron radiation double crystal topography,(2006),排名第二,主要合作者:Tongda Ma等,J. Cryst. Growth,vol.289,489。[3]
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